Miri ta 'Sputtering ta' Ossidu taż-Żingu tal-Aluminju

Miri ta 'Sputtering ta' Ossidu taż-Żingu tal-Aluminju Bl-iżvilupp ta 'films konduttivi trasparenti, miri AZO (Al2O3-ZnO), li jistgħu jissostitwixxu ITO, intużaw ħafna. Il-film konduttiv trasparenti AZO għandu band gap ta '3.4eV u limitu ta' assorbiment intrinsiku ta '360nm, li jista' jintuża bħala materjal ta 'saff ta' tieqa għal batteriji tal-film irqiq-. Il-karatteristika tad-distakk tal-faxxa wiesgħa tagħha tista 'tnaqqas l-assorbiment tad-dawl b'reġjuni drogati tat-tip p, n-u ttejjeb ir-rata ta' utilizzazzjoni tal-enerġija tad-dawl. Fl-istess ħin, il-film konduttiv trasparenti AZO għandu resistività baxxa u trażmissjoni għolja tad-dawl viżibbli, li jagħmilha materjal tajjeb ta 'saff trasparenti ta' quddiem. Fl-istess ħin, AZO għandu wkoll il-karatteristiċi ta 'stabbiltà għolja fil-plażma, teknoloġija ta' preparazzjoni faċli, u materja prima mhux-tossika u li ma tagħmilx ħsara, li tagħmel AZO użata aktar fil-qasam taċ-ċelloli solari b'film irqiq.

Miri ta' Sputtering ta' Ossidu taż-Żingu tal-Aluminju Stampa:

Aluminum Zinc Oxide Sputtering Targets

AZO Sputtering Target

Il-kumpanija tagħna tista 'tipprovdi lill-klijenti miri AZO ta'-purità għolja,-densità għolja u organizzati b'mod uniformi, kif ukoll is-servizz vinkolanti ta 'miri AZO u backplanes.

Tip	Isem tal-Prodott	Formula	Purità	Punt tat-tidwib	Densità (g/cc)	Forom Disponibbli
Ossidi	Ossidu tal-Aluminju	Al2O3	4N	2045	4	Mira, Partiċelli
	Bismut (III) Ossidu	Bi2O3	4N	820	8.9	Mira, Partiċelli
	Ossidu tal-Kromju (III).	Cr2O3	4N	2435	5.2	Mira, Partiċelli
	Erbju Ossidu	Er2O3	4N	2378	8.64	Mira, Partiċelli
	Ossidu tal-Ħafnju	HfO2	4N	2812	9.7	Mira, Partiċelli
	Ossidu tal-landa tal-Indju	ITO	4N	1565	7.6	Mira
	Ossidu tal-manjeżju	MgO	4N	2800	3.58	Mira, Partiċelli
	Pentossidu tan-Nijobju	Nb2O5	4N	1530	4.47	Mira, Partiċelli
	Neodimju (III) Ossidu	Nd2O3	4N	2272	7.2	Mira, Partiċelli
	Ossidu tan-nikil	NiO	4N	1990	7.45	Mira, Partiċelli
	Skandju Ossidu	Sc2O3	4N	2480	3.86	Mira, Partiċelli
	Ossidu tas-Silikon	SiO	4N	1702	2.13	Mira, Partiċelli
	Diossidu tas-Silikon	SiO2	4N	1610	2.2	Mira, Partiċelli, Kristall
	Samarium(III) Oxide	Sm2O3	4N	2350	7.4	Mira, Partiċelli
	Pentossidu tat-Tantalu	Ta2O5	4N	1800	8.7	Mira, Partiċelli
	Diossidu tat-titanju	TiO2	4N	1800	4.29	Mira, Partiċelli
	Ossidu tat-titanju (V).	Ti3O5	4N	1750	4.57	Mira, Partiċelli
	Vanadju (V) Ossidu	V2O5	4N	690	3.36	Mira, Partiċelli
	Ossidu tal-ittriju (III).	Y2O3	4N	2680	4.8	Mira, Partiċelli
	Ossidu taż-żingu	ZnO	4N	1975	5.6	Mira, Partiċelli
	Aluminju-Ossidu taż-Żingu drogat	AZO	4N	\	5.4	Mira
	Diossidu taż-żirkonju	ZrO2	4N	2700	5.5	Mira, Partiċelli
Fluworidu	Fluworidu tal-Barju	BaF2	4N	1280	4.8	Mira, Partiċelli
	Fluworidu tal-Kalċju	CaF2	4N	1360	3.13	Mira, Partiċelli
	Fluworidu taċ-ċerju	CeF3	4N	1418	6.16	Mira, Partiċelli
	Fluworidu tal-potassju	KF	4N	880	2.48	Mira, Partiċelli
	Fluworidu tal-Lantanju (III).	LaF3	4N	1490	6	Mira, Partiċelli
	Fluworidu tal-manjeżju	MgF2	4N	1266	4.2	Mira, Partiċelli
	Fluworidu tas-Sodju	NaF	4N	988	2.79	Mira, Partiċelli
Oħrajn	Titanat tal-barju	BaTiO3	4N	1620	3.96	Mira, Partiċelli
	Strontium Titanate	SrTiO3	4N	2080	5.12	Mira, Partiċelli
	Sulfide taż-żingu	ZnS	4N	1830	4.1	Mira, Partiċelli
	Nitrur tas-Silikon	Si3N4	4N	sublimazzjoni	3.44	Mira, Partiċelli
	Nitrur tat-titanju	TiN	4N	2950	5.43	Mira, Partiċelli
	Nitrur tal-Aluminju	AlN	4N	sublimazzjoni	3.26	Mira, Partiċelli
	Nitrur tal-Boron	BN	4N	3000	2.25	Mira, Partiċelli
	Slilicon Carbide	SiC	4N	2700	3.22	Mira

It-tags Popolari: Aluminum Zinc Oxide Sputtering Targets, fornituri, manifatturi, fabbrika, personalizzati, bl-ingrossa, prezz, kwotazzjoni, għall-bejgħ